FDC6310P
Numărul de produs al producătorului:

FDC6310P

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDC6310P-DG

Descriere:

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 2.2A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

Inventar:

7945 Piese Noi Originale În Stoc
12838667
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDC6310P Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.2A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
337pF @ 10V
Putere - Max
700mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pachet dispozitiv furnizor
SuperSOT™-6
Numărul de bază al produsului
FDC6310

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
FDC6310PFSTR
FDC6310PFSCT
FDC6310PFSDKR
FDC6310P-DG
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

ECH8653-TL-H

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8ECH

onsemi

FDS6961A

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC

onsemi

EMH2417R-TL-H

MOSFET 2N-CH 12V 11A SOT383FL

onsemi

FDW2521C

MOSFET N/P-CH 20V 5.5A 8TSSOP