Numărul de produs al producătorului:
SIS890ADN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIS890ADN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 7.6A (Ta), 24.7A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
795 Piese Noi Originale În Stoc
12945862
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIS890ADN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
25.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1330 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SIS890
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIS890ADN-T1-GE3TR
742-SIS890ADN-T1-GE3DKR
742-SIS890ADN-T1-GE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDMC86160ET100
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
9913
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDMC86160ET100-DG
PREȚ UNIC
0.98
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFZ40PBF-BE3
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
SUM40014M-GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
IRF620PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB