Numărul de produs al producătorului:
FDMC86160ET100
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDMC86160ET100-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 43A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount Power33
Inventar:
9913 Piese Noi Originale În Stoc
12846304
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDMC86160ET100 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Ta), 43A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1290 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
Power33
Pachet / Carcasă
8-PowerWDFN
Numărul de bază al produsului
FDMC86160
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDMC86160ET100CT
FDMC86160ET100TR
FDMC86160ET100DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDN5632N-F085
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
BSZ023N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
AOB11S65L
MOSFET N-CH 650V 11A TO263
