Numărul de produs al producătorului:
BSZ023N04LSATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSZ023N04LSATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventar:
12846306
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
ctap
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSZ023N04LSATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Ta), 40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2630 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TSDSON-8-FL
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSZ023N04LS-DG
BSZ023N04LSATMA1CT
BSZ023N04LSCT
BSZ023N04LSATMA1DKR
BSZ023N04LSATMA1TR
BSZ023N04LSTR
BSZ023N04LSTR-DG
BSZ023N04LSDKR-DG
BSZ023N04LSDKR
BSZ023N04LS
SP000953208
BSZ023N04LSCT-DG
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDMC8321LDC
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
5561
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDMC8321LDC-DG
PREȚ UNIC
0.87
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDMS8333L
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
2597
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDMS8333L-DG
PREȚ UNIC
0.48
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
