SIS782DN-T1-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIS782DN-T1-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIS782DN-T1-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 16A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventar:

8980 Piese Noi Originale În Stoc
12954591
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIS782DN-T1-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1025 pF @ 15 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Body)
Disiparea puterii (max)
41W (Tc)
Temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SIS782

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SIS782DN-T1-GE3DKR
SIS782DN-T1-GE3CT
SIS782DN-T1-GE3TR
SIS782DN-T1-GE3-DG
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
alpha-and-omega-semiconductor

AOTS21313C

MOSFET P-CH 30V 7.3A 6TSOP

alpha-and-omega-semiconductor

AOB360A70L

MOSFET N-CH 700V 12A TO263

infineon-technologies

IAUC100N04S6L020ATMA1

IAUC100N04S6L020ATMA1

vishay-siliconix

SQJ858AEP-T1_BE3

MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8