Numărul de produs al producătorului:
SQJ858AEP-T1_BE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQJ858AEP-T1_BE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
3000 Piese Noi Originale În Stoc
12954625
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQJ858AEP-T1_BE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2450 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
48W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SQJ858
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SQJ858AEP-T1_BE3DKR
742-SQJ858AEP-T1_BE3TR
742-SQJ858AEP-T1_BE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AON7596
MOSFET N-CH 3X3 DFN
SI7308DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
AON6362FH
MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN
