Numărul de produs al producătorului:
SIS472BDN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIS472BDN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 15.3A (Ta), 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
5450 Piese Noi Originale În Stoc
13277364
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIS472BDN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SIS472
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIS472BDN-T1-GE3TR
742-SIS472BDN-T1-GE3CT
742-SIS472BDN-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHFR220TRL-GE3
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
SQD50P08-28-T4_GE3
MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
SQD90P04_9M4LT4GE3
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
