Numărul de produs al producătorului:
SQD90P04_9M4LT4GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQD90P04_9M4LT4GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Descriere detaliată:
P-Channel 40 V 90A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
13277367
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQD90P04_9M4LT4GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.4mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6675 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SQD90
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SQD90P04_9M4LT4GE3TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SQD90P04-9M4L_GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1051
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQD90P04-9M4L_GE3-DG
PREȚ UNIC
1.06
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJ474EP-T2_GE3
MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
SIHD3N50DT1-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
SQD40N06-14L_T4GE3
MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA