Numărul de produs al producătorului:
SIS429DNT-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIS429DNT-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 20A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
12916794
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIS429DNT-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
27.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SIS429
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RF4E070GNTR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2425
DiGi NUMĂR DE PARTE
RF4E070GNTR-DG
PREȚ UNIC
0.12
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIR840DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
SI2303CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
SQ1470AEH-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
