SIR840DP-T1-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIR840DP-T1-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIR840DP-T1-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

RFQ Online
12916797
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIR840DP-T1-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIR840

Informații suplimentare

Alte nume
SIR840DPT1GE3
SIR840DP-T1-GE3TR
SIR840DP-T1-GE3CT
SIR840DP-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SI2303CDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

vishay-siliconix

SQ1470AEH-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70

vishay-siliconix

SIHG039N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC

vishay-siliconix

SIR698DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8