Numărul de produs al producătorului:
SIS414DN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIS414DN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.4W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
12786659
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIS414DN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
795 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.4W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SIS414
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIS414DNT1GE3
SIS414DN-T1-GE3DKR
SIS414DN-T1-GE3CT
SIS414DN-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E100MNTB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
5261
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E100MNTB1-DG
PREȚ UNIC
0.40
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E080BNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
40431
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E080BNTB-DG
PREȚ UNIC
0.10
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SISA88DN-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
36506
DiGi NUMĂR DE PARTE
SISA88DN-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.14
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIRA20DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
SIHU4N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
SIR812DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
