Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
RQ3E100MNTB1
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RQ3E100MNTB1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventar:
5261 Piese Noi Originale În Stoc
13080437
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RQ3E100MNTB1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-HSMT (3.2x3)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
RQ3E100
Informații suplimentare
Alte nume
RQ3E100MNTB1CT
RQ3E100MNTB1DKR
RQ3E100MNTB1TR
846-RQ3E100MNTB1TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDMC8878
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
6381
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDMC8878-DG
PREȚ UNIC
0.46
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E100MNTB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
5261
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E100MNTB1-DG
PREȚ UNIC
0.40
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
IRFH3707TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7498
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFH3707TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.13
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
DMG4468LFG-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMG4468LFG-7-DG
PREȚ UNIC
0.28
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
DMS3014SFG-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
15880
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMS3014SFG-7-DG
PREȚ UNIC
0.14
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R5016FNJTL
MOSFET N-CH 500V 16A LPT
RP1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A MPT6
R6015FNJTL
MOSFET N-CH 600V 15A LPT
RS1E300GNTB
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP