SIS334DN-T1-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIS334DN-T1-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIS334DN-T1-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.8W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventar:

12787084
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIS334DN-T1-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
640 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SIS334

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
CSD17579Q3A
PRODUCĂTOR
Texas Instruments
CANTITATE DISPONIBILĂ
41250
DiGi NUMĂR DE PARTE
CSD17579Q3A-DG
PREȚ UNIC
0.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
NTTFS4C13NTAG
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1349
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTTFS4C13NTAG-DG
PREȚ UNIC
0.34
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
CSD17579Q3AT
PRODUCĂTOR
Texas Instruments
CANTITATE DISPONIBILĂ
5016
DiGi NUMĂR DE PARTE
CSD17579Q3AT-DG
PREȚ UNIC
0.44
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E120BNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2880
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E120BNTB-DG
PREȚ UNIC
0.16
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E100BNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
95904
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E100BNTB-DG
PREȚ UNIC
0.11
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIE874DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SUD50N03-16P-E3

MOSFET N-CH 30V TO252

vishay-siliconix

SIHB15N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK

vishay-siliconix

SUM110P06-08L-E3

MOSFET P-CH 60V 110A TO263