RQ3E100BNTB

Numărul de produs al producătorului:

RQ3E100BNTB

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

RQ3E100BNTB-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Inventar:

95904 Piese Noi Originale În Stoc

13525392

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

RQ3E100BNTB Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

ROHM Semiconductor

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

10.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

22 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1100 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

2W (Ta)

Temperatura

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

8-HSMT (3.2x3)

Pachet / Carcasă

8-PowerVDFN

Numărul de bază al produsului

RQ3E100

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

RQ3E100BN HSMT8 TB Taping Spec

Informații suplimentare

Alte nume

RQ3E100BNTBDKR

RQ3E100BNTBCT

RQ3E100BNTBTR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

rohm-semi

SCT3060ALHRC11

SICFET N-CH 650V 39A TO247N

rohm-semi

RHU003N03T106

MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3

rohm-semi

RQ6C050BCTCR

MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6

rohm-semi

RQ5H020SPTL

MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3