Numărul de produs al producătorului:
SIRA36DP-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIRA36DP-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 40A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
3028 Piese Noi Originale În Stoc
12917000
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIRA36DP-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2815 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIRA36
Informații suplimentare
Alte nume
SIRA36DP-T1-GE3CT
SIRA36DP-T1-GE3TR
SIRA36DP-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHB4N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A D2PAK
SI7806ADN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
VS-FB190SA10
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227