Numărul de produs al producătorului:
SIHB4N80E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHB4N80E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 4.3A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12917002
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHB4N80E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
622 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHB4
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB5N80K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
205
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB5N80K5-DG
PREȚ UNIC
0.77
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7806ADN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
VS-FB190SA10
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
SI7115DN-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
