Numărul de produs al producătorului:
SIRA18DP-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIRA18DP-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
111 Piese Noi Originale În Stoc
12786491
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIRA18DP-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIRA18
Fișa de date și documente
Desene de produs
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIRA18DPT1GE3
SIRA18DP-T1-GE3TR
SIRA18DP-T1-GE3DKR
2266-SIRA18DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RS3E095BNGZETB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2500
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS3E095BNGZETB-DG
PREȚ UNIC
0.29
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RXH070N03TB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2498
DiGi NUMĂR DE PARTE
RXH070N03TB1-DG
PREȚ UNIC
0.32
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RS1E130GNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1178
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS1E130GNTB-DG
PREȚ UNIC
0.16
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RS1E150GNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2280
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS1E150GNTB-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJA02EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SIR496DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
SIHP24N65E-E3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
