Numărul de produs al producătorului:
SIR496DP-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIR496DP-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12786505
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIR496DP-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1570 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5W (Ta), 27.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIR496
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIR496DP-T1-GE3CT
Q6936817FH
SIR496DP-T1-GE3TR
SIR496DPT1GE3
SIR496DP-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSC046N02KSGAUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
19920
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSC046N02KSGAUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.55
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SIR410DP-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
7636
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIR410DP-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.37
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHP24N65E-E3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
SUD50N03-12P-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
SIRA50DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK
