Numărul de produs al producătorului:
SIR122DP-T1-RE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIR122DP-T1-RE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12604 Piese Noi Originale În Stoc
12787204
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIR122DP-T1-RE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIR122
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIR122DP-T1-RE3CT
SIR122DP-T1-RE3TR
SIR122DP-T1-RE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SISS46DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK
SIHB22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
SIR330DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
