SIHB22N60E-E3
Numărul de produs al producătorului:

SIHB22N60E-E3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIHB22N60E-E3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

12787210
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIHB22N60E-E3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1920 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
227W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHB22

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SIHB22N60EE3
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
R6020KNJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1540
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6020KNJTL-DG
PREȚ UNIC
1.47
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB28NM60ND
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1427
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB28NM60ND-DG
PREȚ UNIC
4.07
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
R6024ENJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
831
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6024ENJTL-DG
PREȚ UNIC
1.59
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB30N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB30N65M5-DG
PREȚ UNIC
3.04
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB26NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2127
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB26NM60N-DG
PREȚ UNIC
3.29
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIR330DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQ3426EV-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP

vishay-siliconix

SQJ444EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQP100N04-3M6_GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB