Numărul de produs al producătorului:
SIJ482DP-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIJ482DP-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 5W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12919240
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIJ482DP-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2425 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5W (Ta), 69.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIJ482
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIJ482DP-T1-GE3DKR
SIJ482DP-T1-GE3DKRINACTIVE
SIJ482DP-T1-GE3TR
SIJ482DP-T1-GE3DKR-DG
SIJ482DP-T1-GE3CT
SIJ482DPT1GE3
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RS6N120BHTB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1763
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS6N120BHTB1-DG
PREȚ UNIC
1.14
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PMPB43XPE,115
MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
SI7636DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
SI1469DH-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
