Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SI7636DP-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7636DP-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 17A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
RFQ Online
12919260
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7636DP-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5600 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.9W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SI7636
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SI7636DP-T1-E3-DG
Fișe tehnice
SI7636DP-T1-E3
Informații suplimentare
Alte nume
SI7636DP-T1-E3DKR
SI7636DP-T1-E3CT
SI7636DPT1E3
SI7636DP-T1-E3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSC042N03LSGATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
11717
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSC042N03LSGATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.35
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RS1E280BNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
35014
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS1E280BNTB-DG
PREȚ UNIC
0.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RS3E095BNGZETB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2500
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS3E095BNGZETB-DG
PREȚ UNIC
0.29
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
CSD17310Q5A
PRODUCĂTOR
Texas Instruments
CANTITATE DISPONIBILĂ
25595
DiGi NUMĂR DE PARTE
CSD17310Q5A-DG
PREȚ UNIC
0.32
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RS1E240BNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2500
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS1E240BNTB-DG
PREȚ UNIC
0.22
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI1469DH-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
BSH105,235
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
SIS435DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
SUD19N20-90-E3
MOSFET N-CH 200V 19A TO252