Numărul de produs al producătorului:
SIHU3N50DA-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHU3N50DA-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Inventar:
12920922
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHU3N50DA-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
177 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
IPAK (TO-251)
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Numărul de bază al produsului
SIHU3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIR140DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
SIHP25N40D-E3
MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
SISA01DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
