Numărul de produs al producătorului:
SIR140DP-T1-RE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIR140DP-T1-RE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 71.9A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
11305 Piese Noi Originale În Stoc
12920925
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIR140DP-T1-RE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
71.9A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
0.67mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8150 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SIR140
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIR140DP-T1-RE3TR
SIR140DP-T1-RE3DKR
SIR140DP-RE3
SIR140DP-T1-RE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHP25N40D-E3
MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
SISA01DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
SIR668DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
