Numărul de produs al producătorului:
SIHP6N65E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHP6N65E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12919205
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHP6N65E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
820 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SIHP6
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SPA11N80C3XKSA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
206
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPA11N80C3XKSA2-DG
PREȚ UNIC
1.26
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUP70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
SQM60030E_GE3
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
SIS862ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
