Numărul de produs al producătorului:
SQS484ENW-T1_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQS484ENW-T1_GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
12919217
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQS484ENW-T1_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
62.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SQS484
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SQS484ENW-T1_GE3CT
SQS484ENW-T1_GE3TR
SQS484ENW-T1_GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4190ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
SUM70060E-GE3
MOSFET N-CH 100V 131A TO263
SUP60N10-18P-E3
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
