SIHP30N60E-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIHP30N60E-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIHP30N60E-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole

Inventar:

12787728
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIHP30N60E-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SIHP30

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SIHP30N60E-GE3TRINACTIVE
SIHP30N60E-GE3DKR-DG
SIHP30N60E-GE3TR
SIHP30N60E-GE3TR-DG
SIHP30N60E-GE3CT-DG
SIHP30N60E-GE3DKR
SIHP30N60E-GE3CT
SIHP30N60E-GE3DKRINACTIVE
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
AOT42S60L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
16990
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOT42S60L-DG
PREȚ UNIC
2.63
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R099CPXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1235
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R099CPXKSA1-DG
PREȚ UNIC
4.08
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R125C6XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
483
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R125C6XKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R125CPXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
4944
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R125CPXKSA1-DG
PREȚ UNIC
3.00
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R099P7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1904
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R099P7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.78
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-semi-diodes

VS-FA40SA50LC

MOSFET N-CH 500V 40A SOT-227

vishay-siliconix

SIHD7N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

vishay-siliconix

SUP50N03-5M1P-GE3

MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB

vishay-siliconix

SQP120P06-6M7L_GE3

MOSFET P-CH 60V TO220AB