SIHP22N60E-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIHP22N60E-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIHP22N60E-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole

Inventar:

12916373
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIHP22N60E-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1920 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
227W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SIHP22

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SIHP22N60E-GE3CT
SIHP22N60E-GE3TRINACTIVE
SIHP22N60E-GE3TR
SIHP22N60E-GE3TR-DG
SIHP22N60E-GE3CT-DG
SIHP22N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHP22N60E-GE3DKR
SIHP22N60E-GE3DKR-DG
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
STP24N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
189
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP24N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.21
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SIHG22N60E-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
498
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHG22N60E-GE3-DG
PREȚ UNIC
1.88
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
STP30N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
5189
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP30N65M5-DG
PREȚ UNIC
3.17
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP24N60DM2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
105
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP24N60DM2-DG
PREȚ UNIC
1.48
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP31N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1095
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP31N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.77
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SQJ411EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIE848DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SIHF23N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 23A TO220

vishay-siliconix

SQJ858EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8