STP31N65M5
Numărul de produs al producătorului:

STP31N65M5

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STP31N65M5-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

1095 Piese Noi Originale În Stoc
12878409
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STP31N65M5 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ V
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
148mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
816 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP31

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
STx31N65M5

Informații suplimentare

Alte nume
497-13110-5
497-13110-5-DG
497-STP31N65M5
-497-13110-5
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STB200NF04-1

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

stmicroelectronics

STL60P4LLF6

MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT

nxp-semiconductors

PSMN004-55W,127

MOSFET N-CH 55V 100A TO247-3

stmicroelectronics

STP300NH02L

MOSFET N-CH 24V 120A TO220AB