Numărul de produs al producătorului:
SIHG20N50C-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHG20N50C-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
6056 Piese Noi Originale În Stoc
12917475
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
Flp5
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHG20N50C-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2942 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SIHG20
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIHG20N50CE3
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4178DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
SI4628DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38A 8SO
SI4384DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
