Numărul de produs al producătorului:
SI4178DY-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4178DY-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12917479
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4178DY-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
405 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.4W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4178
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI4178DY-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
2375
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI4178DY-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
CWDM3011N TR13 PBFREE
PRODUCĂTOR
Central Semiconductor Corp
CANTITATE DISPONIBILĂ
2748
DiGi NUMĂR DE PARTE
CWDM3011N TR13 PBFREE-DG
PREȚ UNIC
0.17
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4628DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38A 8SO
SI4384DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
SIRA28BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
