Numărul de produs al producătorului:
SIHD186N60EF-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHD186N60EF-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
4523 Piese Noi Originale În Stoc
12915534
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHD186N60EF-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
EF
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
201mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1118 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SIHD186
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTU50N085T
MOSFET N-CH 85V 50A TO251
SI2309DS-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
SIHP7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
