Numărul de produs al producătorului:
SIHP7N60E-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHP7N60E-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12915551
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHP7N60E-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SIHP7
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR014TRR
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
IRFU224
MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA
SI7114DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
