SIHB24N65ET5-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIHB24N65ET5-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIHB24N65ET5-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

12786485
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIHB24N65ET5-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2740 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHB24

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
800

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
STB20N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
845
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB20N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.46
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXFA22N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
250
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFA22N65X2-DG
PREȚ UNIC
2.56
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
R6020ENJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
9101
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6020ENJTL-DG
PREȚ UNIC
1.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SPB20N60C3ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
4719
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPB20N60C3ATMA1-DG
PREȚ UNIC
2.53
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB65R190CFDAATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
256
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB65R190CFDAATMA1-DG
PREȚ UNIC
2.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIS454DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SQJ456EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIRA18DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQJA02EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8