Numărul de produs al producătorului:
SIHB24N65ET1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHB24N65ET1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12787602
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHB24N65ET1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2740 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHB24
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFA22N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
250
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFA22N65X2-DG
PREȚ UNIC
2.56
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK16G60W,RVQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
994
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK16G60W,RVQ-DG
PREȚ UNIC
2.68
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SISA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
SIR472ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
SIS415DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
