Numărul de produs al producătorului:
SIS415DNT-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIS415DNT-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
3000 Piese Noi Originale În Stoc
12787615
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIS415DNT-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5460 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SIS415
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIS415DNT-T1-GE3DKR
742-SIS415DNT-T1-GE3CT
SIS415DNT-T1-GE3TR
SIS415DNT-T1-GE3TR-DG
SIS415DNT-T1-GE3CT
742-SIS415DNT-T1-GE3TR
SIS415DNT-T1-GE3CT-DG
SIS415DNT-T1-GE3DKR-DG
742-SIS415DNT-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHB25N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 26A TO263
SIR120DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
SIDR392DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
