SIHB22N60S-E3
Numărul de produs al producătorului:

SIHB22N60S-E3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIHB22N60S-E3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 22A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

12787392
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIHB22N60S-E3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2810 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHB22

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SIHB22N60S-E3TRINACTIVE
SIHB22N60SE3
SIHB22N60S-E3TR
SIHB22N60S-E3CT-DG
SIHB22N60S-E3TR-DG
SIHB22N60S-E3DKR
SIHB22N60S-E3DKR-DG
SIHB22N60S-E3CT
SIHB22N60S-E3DKRINACTIVE
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
FCB20N60FTM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
2398
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCB20N60FTM-DG
PREȚ UNIC
2.61
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
R6024ENJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
831
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6024ENJTL-DG
PREȚ UNIC
1.59
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
R6020ENJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
9101
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6020ENJTL-DG
PREȚ UNIC
1.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB24NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
949
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB24NM60N-DG
PREȚ UNIC
2.86
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R199CPATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3260
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R199CPATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.72
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SQJ446EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR826ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHB12N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

vishay-siliconix

SQ2319ADS-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3