Numărul de produs al producătorului:
SIHB12N60E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHB12N60E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12787407
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHB12N60E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
937 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
147W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHB12
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIHB12N60EGE3
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB13NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1000
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB13NM60N-DG
PREȚ UNIC
2.21
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB13N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2210
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB13N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.86
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SPB11N60C3ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2703
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPB11N60C3ATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.53
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQ2319ADS-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
SIS106DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
SIS472ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
