Numărul de produs al producătorului:
SIS106DN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIS106DN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 9.8A (Ta), 16A (Tc) 3.2W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
4890 Piese Noi Originale În Stoc
12787419
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIS106DN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.8A (Ta), 16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.2W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SIS106
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIS106DN-T1-GE3CT
SIS106DN-T1-GE3TR
SIS106DN-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIS472ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
SQJ443EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
SUM90N06-5M5P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO263
