SIHB18N60E-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIHB18N60E-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIHB18N60E-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

12787122
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIHB18N60E-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
202mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
179W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHB18

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IXTA24N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
50
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA24N65X2-DG
PREȚ UNIC
2.52
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB21N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1748
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB21N65M5-DG
PREȚ UNIC
2.31
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXFA22N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
250
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFA22N65X2-DG
PREȚ UNIC
2.56
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB28N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB28N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.41
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R165CPATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3135
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R165CPATMA1-DG
PREȚ UNIC
2.21
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIHH24N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHG22N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC

vishay-siliconix

SQM90142E_GE3

MOSFET N-CH 200V 95A TO263

vishay-siliconix

SIHB11N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK