Numărul de produs al producătorului:
STB28N60M2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB28N60M2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12877177
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB28N60M2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ II Plus
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1440 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
170W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB28
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-14972-2
497-14972-1
497-14972-6
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFA22N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
250
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFA22N65X2-DG
PREȚ UNIC
2.56
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STU5N52K3
MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK
STP46N60M6
MOSFET N-CH 600V 36A TO220
STW20NM50FD
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
