Numărul de produs al producătorului:
SIHB12N60ET5-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHB12N60ET5-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12786821
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHB12N60ET5-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Bulk
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
937 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
147W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHB12
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCB11N60TM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
135
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCB11N60TM-DG
PREȚ UNIC
1.43
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R299CPAATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3987
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R299CPAATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.41
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB65R310CFDAATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1407
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB65R310CFDAATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.29
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHB12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
SQD50N04-5M6_T4GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
SIHP24N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
