Numărul de produs al producătorului:
IPB60R299CPAATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB60R299CPAATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
3987 Piese Noi Originale În Stoc
12803487
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB60R299CPAATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
96W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB60R299
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
INFINFIPB60R299CPAATMA1
IPB60R299CPAATMA1-DG
SP000539970
2156-IPB60R299CPAATMA1
448-IPB60R299CPAATMA1TR
448-IPB60R299CPAATMA1DKR
448-IPB60R299CPAATMA1CT
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
IPP80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRF3305PBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
