Numărul de produs al producătorului:
SIHA690N60E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHA690N60E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventar:
12920057
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHA690N60E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
347 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
29W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Full Pack
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
SIHA690
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7454DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
SIA106DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
SI7446BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
