SI7454DP-T1-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SI7454DP-T1-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SI7454DP-T1-GE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

12920060
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SI7454DP-T1-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.9W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SI7454

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
SI7454DP-T1-E3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
21887
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI7454DP-T1-E3-DG
PREȚ UNIC
0.76
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIA106DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK

vishay-siliconix

SI7446BDP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI6469DQ-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

vishay-siliconix

SIA445EDJT-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6