Numărul de produs al producătorului:
SIHA5N80AE-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHA5N80AE-GE3-DG
Descriere:
E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventar:
958 Piese Noi Originale În Stoc
12949160
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHA5N80AE-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
321 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
29W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Full Pack
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIHA5N80AE-GE3
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI3129DV-T1-GE3
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
PXP6R7-30QLJ
PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
PXP013-30QLJ
PXP013-30QL/SOT8002/MLPAK33
