Numărul de produs al producătorului:
IRF150P221AKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF150P221AKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 186A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
525 Piese Noi Originale În Stoc
12949169
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF150P221AKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
StrongIRFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
186A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 264µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6000 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 341W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP005537806
448-IRF150P221AKMA1
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MCU45P03A-TP
P-CHANNEL MOSFET, DPAK
MCAC68N03Y-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
MCU12P10A-TP
P-CHANNEL MOSFET, DPAK