Numărul de produs al producătorului:
SIHA4N80E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHA4N80E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventar:
12916762
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHA4N80E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
622 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Full Pack
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
SIHA4
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STF6N62K3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
963
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF6N62K3-DG
PREȚ UNIC
0.83
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK6A80E,S4X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
15
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK6A80E,S4X-DG
PREȚ UNIC
0.70
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQD19P06-60L_T4GE3
MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA
SQR40030ER_GE3
MOSFET N-CH 40V TO252 REVERSE
SQM120N06-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
