Numărul de produs al producătorului:
TK6A80E,S4X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK6A80E,S4X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 6A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
15 Piese Noi Originale În Stoc
12890093
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK6A80E,S4X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
π-MOSVIII
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.7Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 600µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
45W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK6A80
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK6A80ES4X
TK6A80E,S4X(S
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STF6N62K3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
963
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF6N62K3-DG
PREȚ UNIC
0.83
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM3J328R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
SSM3K336R,LF
MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
2SK2507(F)
MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
