Numărul de produs al producătorului:
SIE812DF-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIE812DF-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Inventar:
12918441
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIE812DF-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8300 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
10-PolarPAK® (L)
Pachet / Carcasă
10-PolarPAK® (L)
Numărul de bază al produsului
SIE812
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIE812DF-T1-E3TR
SIE812DF-T1-E3DKR
SIE812DF-T1-E3CT
SIE812DFT1E3
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SIE812DF-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
275
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIE812DF-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
1.47
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIE808DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
SUD09P10-195-GE3
MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
SI3434DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
